CY7C1370KV25-200AXC
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| Teilenummer | CY7C1370KV25-200AXC |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1370KV25-200AXC |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.262 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1370KV25-200AXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1370KV25-200AXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1370KV25-200AXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 18Mb (512K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3ns |
| Spannung - Versorgung | 2.375V ~ 2.625V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-LQFP |
| Lieferantengerätepaket | 100-TQFP (14x20) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.1V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
