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CY7C1371D-133BGCT

CY7C1371D-133BGCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1371D-133BGCT
PNEDA Teilenummer CY7C1371D-133BGCT
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 6.120
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1371D-133BGCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1371D-133BGCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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CY7C1371D-133BGCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieNoBL™
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit6.5ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall119-BGA
Lieferantengerätepaket119-PBGA (14x22)

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CY7C1426KV18-250BZCT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (4M x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

M24128-DFMC6TG

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

450ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-UFDFPN (2x3)

MR256A08BMA35R

Everspin Technologies Inc.

Hersteller

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-LFBGA

Lieferantengerätepaket

48-FBGA (8x8)

S71VS064RB0AHT4L3

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

VS-R

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH, PSRAM

Speichergröße

64Mbit Flash, 64Mbit RAM

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

52-VFBGA

Lieferantengerätepaket

52-VFRBGA (6x5)

24LC025-E/P

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

Kürzlich verkauft

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MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

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Renesas Electronics America Inc.

DC DC CONVERTER 0.6-6V 6A

MADL-011021-14150T

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M/A-Com Technology Solutions

RF DIODE PIN 6TDFN

EEU-ED2G220

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Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 400V RADIAL

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IC REG LINEAR POS ADJ 1.5A 8SOIC

PE-64934NL

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LTC1773EMS#TRPBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 10MSOP

ESDA6V1L

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STMicroelectronics

TVS DIODE 5.25V SOT23-3