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CY7C1418BV18-267BZXC

CY7C1418BV18-267BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1418BV18-267BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1418BV18-267BZXC
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C1418BV18-267BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1418BV18-267BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1418BV18-267BZXC, CY7C1418BV18-267BZXC Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 695,98 KB)
PDFCY7C1420BV18-200BZCT Datenblatt Cover
CY7C1420BV18-200BZCT Datenblatt Seite 2 CY7C1420BV18-200BZCT Datenblatt Seite 3 CY7C1420BV18-200BZCT Datenblatt Seite 4 CY7C1420BV18-200BZCT Datenblatt Seite 5 CY7C1420BV18-200BZCT Datenblatt Seite 6 CY7C1420BV18-200BZCT Datenblatt Seite 7 CY7C1420BV18-200BZCT Datenblatt Seite 8 CY7C1420BV18-200BZCT Datenblatt Seite 9 CY7C1420BV18-200BZCT Datenblatt Seite 10 CY7C1420BV18-200BZCT Datenblatt Seite 11

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CY7C1418BV18-267BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße36Mb (2M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz267MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

3.5µs

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

MT28F400B5WG-8 BET

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

80ns

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

IS46LD32320A-3BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

Speichergröße

1Gb (32M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-TFBGA

Lieferantengerätepaket

134-TFBGA (10x11.5)

S25FL064LABMFA010

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-L

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT53D768M64D8JS-053 WT:D TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

48Gb (768M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1866MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

366-VFBGA

Lieferantengerätepaket

366-VFBGA (12x12.7)

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