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CY7C1426AV18-250BZXC

CY7C1426AV18-250BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1426AV18-250BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1426AV18-250BZXC
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C1426AV18-250BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1426AV18-250BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1426AV18-250BZXC, CY7C1426AV18-250BZXC Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 729,17 KB)
PDFCY7C1426AV18-250BZC Datenblatt Cover
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CY7C1426AV18-250BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße36Mb (4M x 9)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

IS43R16160F-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

66-TSOP II

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

S29GL01GS12FHIV10

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

BR25H128FJ-2ACE2

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP-J

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