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CY7C1441AV33-133AXCT

CY7C1441AV33-133AXCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1441AV33-133AXCT
PNEDA Teilenummer CY7C1441AV33-133AXCT
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C1441AV33-133AXCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1441AV33-133AXCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1441AV33-133AXCT, CY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 906,76 KB)
PDFCY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt Cover
CY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt Seite 2 CY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt Seite 3 CY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt Seite 4 CY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt Seite 5 CY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt Seite 6 CY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt Seite 7 CY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt Seite 8 CY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt Seite 9 CY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt Seite 10 CY7C1441AV33-133AXCT Datenblatt Seite 11

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CY7C1441AV33-133AXCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße36Mb (1M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit6.5ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

CY7C1424KV18-250BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

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MT47H256M8EB-25E IT:C

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA (9x11.5)

M29W640FT70ZA6E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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