CY7C1470BV25-200BZXI
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1470BV25-200BZXI | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CY7C1470BV25-200BZXI | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 344 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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CY7C1470BV25-200BZXI Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1470BV25-200BZXI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1470BV25-200BZXI Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 72Mb (2M x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3ns |
| Spannung - Versorgung | 2.375V ~ 2.625V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (15x17) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR4 Speichergröße 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (8x14) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 50MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ms, 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-UFDFPN (2x3) |
