CY7C1470BV33-167BZXI
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| Teilenummer | CY7C1470BV33-167BZXI |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1470BV33-167BZXI |
| Beschreibung | IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.790 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 3 - Jun 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1470BV33-167BZXI Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1470BV33-167BZXI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1470BV33-167BZXI Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 72Mb (2M x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 167MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3.4ns |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (15x17) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q100 Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie - Speichergröße 4Kb (512 x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 10MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 4ms Zugriffszeit 40ns Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4Mb (128K x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.1ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
