CY7C1911KV18-300BZCT
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| Teilenummer | CY7C1911KV18-300BZCT |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1911KV18-300BZCT |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.502 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 10 - Jun 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1911KV18-300BZCT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1911KV18-300BZCT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1911KV18-300BZCT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Speichergröße | 18Mb (2M x 9) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 300MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (13x15) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ms Zugriffszeit 120ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 32-PLCC (13.97x11.43) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-DIP |
Hersteller ABLIC U.S.A. Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 1.6V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TMSOP |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.1ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BBGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |
