CYD09S36V18-200BBXC
Nur als Referenz
| Teilenummer | CYD09S36V18-200BBXC |
| PNEDA Teilenummer | CYD09S36V18-200BBXC |
| Beschreibung | IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.946 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CYD09S36V18-200BBXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CYD09S36V18-200BBXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CYD09S36V18-200BBXC, CYD09S36V18-200BBXC Datenblatt
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CYD09S36V18-200BBXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Speichergröße | 9Mb (256K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3.3ns |
| Spannung - Versorgung | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 256-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 256-FBGA (17x17) |
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