CYD18S72V18-200BGI
Nur als Referenz
| Teilenummer | CYD18S72V18-200BGI | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CYD18S72V18-200BGI | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 5.778 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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CYD18S72V18-200BGI Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CYD18S72V18-200BGI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CYD18S72V18-200BGI Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Speichergröße | 18Mb (256K x 72) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3.3ns |
| Spannung - Versorgung | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 484-FBGA |
| Lieferantengerätepaket | 484-FBGA (23x23) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 16Mb (512K x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 1.65V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
