DD1200S45KL3B5NOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | DD1200S45KL3B5NOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | DD1200S45KL3B5NOSA1 |
| Beschreibung | DIODE MODULE 1200V 1200A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.448 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 20 - Jun 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DD1200S45KL3B5NOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DD1200S45KL3B5NOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
DD1200S45KL3B5NOSA1, DD1200S45KL3B5NOSA1 Datenblatt
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DD1200S45KL3B5NOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 2 Independent |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 4500V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3.1V @ 1200A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1500A @ 2800V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -50°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | A-IHV130-4 |
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Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 100mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 30V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
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