Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DDB6U85N16LHOSA1

DDB6U85N16LHOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer DDB6U85N16LHOSA1
PNEDA Teilenummer DDB6U85N16LHOSA1
Beschreibung DIODE MOD GP 1600V 60A AGISOPACK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DDB6U85N16LHOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDDB6U85N16LHOSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DDB6U85N16LHOSA1 Datasheet
  • where to find DDB6U85N16LHOSA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies DDB6U85N16LHOSA1
  • DDB6U85N16LHOSA1 PDF Datasheet
  • DDB6U85N16LHOSA1 Stock

  • DDB6U85N16LHOSA1 Pinout
  • Datasheet DDB6U85N16LHOSA1
  • DDB6U85N16LHOSA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • DDB6U85N16LHOSA1 Price
  • DDB6U85N16LHOSA1 Distributor

DDB6U85N16LHOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Diodenkonfiguration3 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)60A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.44V @ 100A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr5mA @ 1600V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketAG-ISOPACK-1

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

V30150C-M3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.36V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

SBR10200CTB-13-G

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

MBR2X050A100

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 50A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

HTZ280H24K

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

24000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

4.7A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

23V @ 12A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 24000V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

STPS30H60CKY-TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

PowerSO-20

Kürzlich verkauft

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

OV00426-B64G

OV00426-B64G

OmniVision Technologies Inc

BRIDGE SENSOR ASIC

MC100ELT22DG

MC100ELT22DG

ON Semiconductor

IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 8SOIC

DSC6001CI2A-016.0000

DSC6001CI2A-016.0000

Microchip Technology

MEMS OSC XO 16.0000MHZ CMOS SMD

TOP257YN

TOP257YN

Power Integrations

IC OFFLINE SWIT PROG OVP TO220

MF-USMF020-2

MF-USMF020-2

Bourns

PTC RESET FUSE 30V 200MA 1210

ADR291GRZ

ADR291GRZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

SD05.TCT

SD05.TCT

Semtech

TVS DIODE 5V 14.5V SOD323

ADM2484EBRWZ

ADM2484EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 5KV RS422/RS485 16SOIC

ADP171AUJZ-R7

ADP171AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 300MA TSOT5

1N4148WT

1N4148WT

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F

GRM31A5C2J100JW01D

GRM31A5C2J100JW01D

Murata

CAP CER 10PF 630V C0G/NP0 1206