Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DDTC115EE-7-F

DDTC115EE-7-F

Nur als Referenz

Teilenummer DDTC115EE-7-F
PNEDA Teilenummer DDTC115EE-7-F
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.074
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 1 - Jun 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DDTC115EE-7-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDDTC115EE-7-F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DDTC115EE-7-F, DDTC115EE-7-F Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 567,94 KB)
PDFDDTC115EE-7-F Datenblatt Cover
DDTC115EE-7-F Datenblatt Seite 2 DDTC115EE-7-F Datenblatt Seite 3 DDTC115EE-7-F Datenblatt Seite 4 DDTC115EE-7-F Datenblatt Seite 5 DDTC115EE-7-F Datenblatt Seite 6 DDTC115EE-7-F Datenblatt Seite 7 DDTC115EE-7-F Datenblatt Seite 8 DDTC115EE-7-F Datenblatt Seite 9 DDTC115EE-7-F Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DDTC115EE-7-F Datasheet
  • where to find DDTC115EE-7-F
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DDTC115EE-7-F
  • DDTC115EE-7-F PDF Datasheet
  • DDTC115EE-7-F Stock

  • DDTC115EE-7-F Pinout
  • Datasheet DDTC115EE-7-F
  • DDTC115EE-7-F Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DDTC115EE-7-F Price
  • DDTC115EE-7-F Distributor

DDTC115EE-7-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)100 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce82 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung - max150mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-523
LieferantengerätepaketSOT-523

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FJN4305RBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

SMUN5213T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

202mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3 (SOT323)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3; MPAK

RN1105MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

VESM

NSVMMUN2114LT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

246mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Kürzlich verkauft

DLP31SN221ML2L

DLP31SN221ML2L

Murata

CMC 100MA 2LN 220 OHM SMD

ADM6318CY46ARJZ-R7

ADM6318CY46ARJZ-R7

Analog Devices

IC SUPERVISOR W/RESET SOT23-5

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

PTH05050WAH

PTH05050WAH

Artesyn Embedded Technologies

DC DC CONVERTER 0.8-3.6V 21W

PM200DV1A120

PM200DV1A120

Powerex Inc.

MOD IPM V1 DUAL 200A 1200V

ADT7411ARQZ-REEL

ADT7411ARQZ-REEL

Analog Devices

SENSOR DIGITAL -40C-120C 16QSOP

MLX92251LSE-AAA-000-RE

MLX92251LSE-AAA-000-RE

Melexis Technologies NV

MAGNET SWITCH LATCH DUAL TSOT23

HLMP-1503-C00A1

HLMP-1503-C00A1

Broadcom

LED 3MM GAP DIFF GRN RA HOUSING

VLMS1300-GS08

VLMS1300-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED RED 0603 SMD

AT89C51-24AI

AT89C51-24AI

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 44TQFP

SMBJ36CA-13-F

SMBJ36CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

BNX026H01L

BNX026H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD