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DDTC115GKA-7-F

DDTC115GKA-7-F

Nur als Referenz

Teilenummer DDTC115GKA-7-F
PNEDA Teilenummer DDTC115GKA-7-F
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
Hersteller Diodes Incorporated
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DDTC115GKA-7-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDDTC115GKA-7-F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DDTC115GKA-7-F, DDTC115GKA-7-F Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 124,29 KB)
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DDTC115GKA-7-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)-
Widerstand - Emitterbasis (R2)100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce82 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung - max200mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSC-59-3

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Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Widerstand - Basis (R1)

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Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

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Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

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Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

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Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

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Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

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Leistung - max

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