Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DDTC122LE-7

DDTC122LE-7

Nur als Referenz

Teilenummer DDTC122LE-7
PNEDA Teilenummer DDTC122LE-7
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.488
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DDTC122LE-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDDTC122LE-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DDTC122LE-7, DDTC122LE-7 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 416,55 KB)
PDFDDTC142TE-7-F Datenblatt Cover
DDTC142TE-7-F Datenblatt Seite 2 DDTC142TE-7-F Datenblatt Seite 3 DDTC142TE-7-F Datenblatt Seite 4 DDTC142TE-7-F Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DDTC122LE-7 Datasheet
  • where to find DDTC122LE-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DDTC122LE-7
  • DDTC122LE-7 PDF Datasheet
  • DDTC122LE-7 Stock

  • DDTC122LE-7 Pinout
  • Datasheet DDTC122LE-7
  • DDTC122LE-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DDTC122LE-7 Price
  • DDTC122LE-7 Distributor

DDTC122LE-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)220 Ohms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce56 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang200MHz
Leistung - max150mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-523
LieferantengerätepaketSOT-523

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DTC024EEBTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

EMT3F (SOT-416FL)

BCR112WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

140MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

DTD114GKT146

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3

DTC143XU3T106

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

UMT3

UNR92AFG0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3

Kürzlich verkauft

MAX15006AATT/V+T

MAX15006AATT/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR 3.3V 50MA 6TDFN

AD5676RBRUZ

AD5676RBRUZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 20TSSOP

NOIP2SE1300A-QDI

NOIP2SE1300A-QDI

ON Semiconductor

IC IMAGE SENSOR 1.3MP 48LCC

744314150

744314150

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 13A 4.3 MOHM SMD

TSV992IQ2T

TSV992IQ2T

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DFN

LC4256V-75T176C

LC4256V-75T176C

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 256MC 7.5NS 176TQFP

WSL20108L000FEA

WSL20108L000FEA

Vishay Dale

RES 0.008 OHM 1% 1/2W 2010

CY2305CSXI-1H

CY2305CSXI-1H

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 5OUT 133MHZ 8SOIC

HCPL-0201-500E

HCPL-0201-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 8SO

MIC4420YN

MIC4420YN

Microchip Technology

IC DRIVER MOSFET 6A LO SIDE 8DIP

DLP11TB800UL2L

DLP11TB800UL2L

Murata

CMC 100MA 2LN 80 OHM SMD

2016L100/33DR

2016L100/33DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.1A 2016