DF650R17IE4BOSA1
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| Teilenummer | DF650R17IE4BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | DF650R17IE4BOSA1 |
| Beschreibung | MOD IGBT 650A PRIME2-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DF650R17IE4BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DF650R17IE4BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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DF650R17IE4BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | PrimePack™2 |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 930A |
| Leistung - max | 4150W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 650A Leistung - max 3150W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 27nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Lieferantengerätepaket IMS-2 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Switch Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4800A Leistung - max 15500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 2400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 195nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie C IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
