Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DGTD65T15H2TF

DGTD65T15H2TF

Nur als Referenz

Teilenummer DGTD65T15H2TF
PNEDA Teilenummer DGTD65T15H2TF
Beschreibung IGBT600V-XITO-220AB
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 14.328
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DGTD65T15H2TF Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDGTD65T15H2TF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
DGTD65T15H2TF, DGTD65T15H2TF Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 1.787,84 KB)
PDFDGTD65T15H2TF Datenblatt Cover
DGTD65T15H2TF Datenblatt Seite 2 DGTD65T15H2TF Datenblatt Seite 3 DGTD65T15H2TF Datenblatt Seite 4 DGTD65T15H2TF Datenblatt Seite 5 DGTD65T15H2TF Datenblatt Seite 6 DGTD65T15H2TF Datenblatt Seite 7 DGTD65T15H2TF Datenblatt Seite 8 DGTD65T15H2TF Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DGTD65T15H2TF Datasheet
  • where to find DGTD65T15H2TF
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DGTD65T15H2TF
  • DGTD65T15H2TF PDF Datasheet
  • DGTD65T15H2TF Stock

  • DGTD65T15H2TF Pinout
  • Datasheet DGTD65T15H2TF
  • DGTD65T15H2TF Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DGTD65T15H2TF Price
  • DGTD65T15H2TF Distributor

DGTD65T15H2TF Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 15A
Leistung - max48W
Schaltenergie270µJ (on), 86µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge61nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/128ns
Testbedingung400V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)150ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
LieferantengerätepaketITO-220AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NGB8202ANTF4G

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK-3

APT65GP60B2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 65A

Leistung - max

833W

Schaltenergie

605µJ (on), 896µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/91ns

Testbedingung

400V, 65A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

RGS50TSX2HRC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

395W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 1.65mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/140ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

SGS5N150UFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.5V @ 10V, 5A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

190µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/30ns

Testbedingung

600V, 5A, 10Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

IRG4PC40UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

320µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/110ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Kürzlich verkauft

LT1963AEST-3.3#PBF

LT1963AEST-3.3#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A SOT223-3

AD623ANZ

AD623ANZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8DIP

AT24C1024BW-SH-T

AT24C1024BW-SH-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC

HUF75344P3

HUF75344P3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

4608X-101-102LF

4608X-101-102LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 1K OHM 8SIP

STPS0560Z

STPS0560Z

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 60V 500MA SOD123

CY14B256LA-SZ25XIT

CY14B256LA-SZ25XIT

Cypress Semiconductor

IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

MAX9100EUK+T

MAX9100EUK+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R SOT23-5

ATMEGA168PA-MUR

ATMEGA168PA-MUR

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32VQFN

LTM8022EV#PBF

LTM8022EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-10V 1A

L7815CV-DG

L7815CV-DG

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 15V 1.5A TO220

FDS4435BZ

FDS4435BZ

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC