DMC2025UFDB-7
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| Teilenummer | DMC2025UFDB-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMC2025UFDB-7 |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.856 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC2025UFDB-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC2025UFDB-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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DMC2025UFDB-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta), 3.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 486pF @ 10V, 642pF @ 10V |
| Leistung - max | 700mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | U-DFN2020-6 (Type B) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1755pF @ 25V Leistung - max 60W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900pF @ 20V Leistung - max 75W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 8 x 8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 13V Leistung - max 2.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 10V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Lieferantengerätepaket TSMT5 |
