DMC2057UVT-13
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| Teilenummer | DMC2057UVT-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMC2057UVT-13 |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.190 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC2057UVT-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC2057UVT-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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DMC2057UVT-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Ta), 3.3A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 416pF @ 10V, 536pF @ 10V |
| Leistung - max | 700mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V Leistung - max 515mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-HUSON-EP (2x2) |
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