DMC261060R
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMC261060R |
| PNEDA Teilenummer | DMC261060R |
| Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5 |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.048 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 10 - Jun 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMC261060R Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC261060R |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
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DMC261060R Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74A, SOT-753 |
| Lieferantengerätepaket | Mini5-G3-B |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 150MHz, 80MHz Leistung - max 125mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-665 Lieferantengerätepaket SSMini5-F2 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket SM6 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47kOhms, 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms, 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket EMT6 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang 230MHz, 180MHz Leistung - max 230mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1010B-6 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 500mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 6mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang 130MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket MINI6-G1 |
