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DMC3016LDV-7

DMC3016LDV-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMC3016LDV-7
PNEDA Teilenummer DMC3016LDV-7
Beschreibung MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 5.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 3 - Mai 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMC3016LDV-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMC3016LDV-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMC3016LDV-7, DMC3016LDV-7 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 634,09 KB)
PDFDMC3016LDV-7 Datenblatt Cover
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DMC3016LDV-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypN and P-Channel Complementary
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.21A (Tc), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Leistung - max900mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPowerDI3333-8

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 40V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

PMCXB900UELZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21.3pF @ 10V

Leistung - max

380mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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FDMD8260LET60

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5245pF @ 30V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

12-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

12-Power3.3x5

BSS138DW-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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