DMC6070LND-7
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMC6070LND-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMC6070LND-7 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.010 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC6070LND-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC6070LND-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMC6070LND-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.1A, 2.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 731pF @ 20V |
| Leistung - max | 1.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI3333-8 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4507pF @ 25V Leistung - max 277W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6-P |
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