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DMC67D8UFDBQ-13

DMC67D8UFDBQ-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMC67D8UFDBQ-13
PNEDA Teilenummer DMC67D8UFDBQ-13
Beschreibung MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 6.804
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 10 - Jun 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMC67D8UFDBQ-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMC67D8UFDBQ-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMC67D8UFDBQ-13, DMC67D8UFDBQ-13 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 525,68 KB)
PDFDMC67D8UFDBQ-7 Datenblatt Cover
DMC67D8UFDBQ-7 Datenblatt Seite 2 DMC67D8UFDBQ-7 Datenblatt Seite 3 DMC67D8UFDBQ-7 Datenblatt Seite 4 DMC67D8UFDBQ-7 Datenblatt Seite 5 DMC67D8UFDBQ-7 Datenblatt Seite 6 DMC67D8UFDBQ-7 Datenblatt Seite 7 DMC67D8UFDBQ-7 Datenblatt Seite 8 DMC67D8UFDBQ-7 Datenblatt Seite 9 DMC67D8UFDBQ-7 Datenblatt Seite 10

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  • DMC67D8UFDBQ-13 Distributor

DMC67D8UFDBQ-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie*
FET-Typ-
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.8A, 7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 15V

Leistung - max

3.1W, 2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DF11MR12W1M1B11BOMA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 800V

Leistung - max

20mW

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

SP8M51TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

SP8M6TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

FDW2512NZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 10V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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