DMJ70H1D3SH3
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| Teilenummer | DMJ70H1D3SH3 |
| PNEDA Teilenummer | DMJ70H1D3SH3 |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.372 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMJ70H1D3SH3 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMJ70H1D3SH3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMJ70H1D3SH3 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 351pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 41W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-251 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 49W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 41W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 16mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 8µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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