DMN1019UVT-7
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| Teilenummer | DMN1019UVT-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN1019UVT-7 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 97.446 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMN1019UVT-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN1019UVT-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMN1019UVT-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50.4nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2588pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.73W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1333pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.36W (Ta), 62.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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