DMN2014LHAB-7
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| Teilenummer | DMN2014LHAB-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN2014LHAB-7 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 28.272 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMN2014LHAB-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN2014LHAB-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMN2014LHAB-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 10V |
| Leistung - max | 800mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | U-DFN2030-6 (Type B) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.392nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V Leistung - max 940mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
Hersteller IXYS Serie TrenchMV™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7700pF @ 25V Leistung - max 150W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUSi5-Pak™ |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 750mA, 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket X1-DFN1612-6 |
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