DMN21D2UFB-7B
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| Teilenummer | DMN21D2UFB-7B |
| PNEDA Teilenummer | DMN21D2UFB-7B |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.430 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 27 - Jun 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMN21D2UFB-7B Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN21D2UFB-7B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMN21D2UFB-7B Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 760mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.93nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 27.6pF @ 16V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 380mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Paket / Fall | 3-UFDFN |
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