Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN2300UFL4-7
PNEDA Teilenummer DMN2300UFL4-7
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.402
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN2300UFL4-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN2300UFL4-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN2300UFL4-7, DMN2300UFL4-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 462,01 KB)
PDFDMN2300UFL4-7 Datenblatt Cover
DMN2300UFL4-7 Datenblatt Seite 2 DMN2300UFL4-7 Datenblatt Seite 3 DMN2300UFL4-7 Datenblatt Seite 4 DMN2300UFL4-7 Datenblatt Seite 5 DMN2300UFL4-7 Datenblatt Seite 6 DMN2300UFL4-7 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMN2300UFL4-7 Datasheet
  • where to find DMN2300UFL4-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN2300UFL4-7
  • DMN2300UFL4-7 PDF Datasheet
  • DMN2300UFL4-7 Stock

  • DMN2300UFL4-7 Pinout
  • Datasheet DMN2300UFL4-7
  • DMN2300UFL4-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN2300UFL4-7 Price
  • DMN2300UFL4-7 Distributor

DMN2300UFL4-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs195mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds128.6pF @ 25V
Leistung - max1.39W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketX2-DFN1310-6 (Type B)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI7905DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 20V

Leistung - max

20.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

QS6J3TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

215mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSMT6 (SC-95)

NTLLD4901NFTWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A, 6.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

605pF @ 15V

Leistung - max

800mW, 810mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-WDFN (3x3)

SI3909DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

500mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

IRF8915

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

MAX232AEPE

MAX232AEPE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16DIP

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

ATMEGA168PA-MUR

ATMEGA168PA-MUR

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32VQFN

PIC16F1509-I/SS

PIC16F1509-I/SS

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 20SSOP

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206

B3F-1000

B3F-1000

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

CYUSB3304-68LTXI

CYUSB3304-68LTXI

Cypress Semiconductor

IC USB 3.0 HUB 4-PORT 68QFN

ADM3222ARSZ

ADM3222ARSZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

ADM202JRN-REEL7

ADM202JRN-REEL7

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

MIC2544A-1YM

MIC2544A-1YM

Microchip Technology

IC SW CURR LIMIT HI SIDE 8SOIC

B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

DN2540N8-G

DN2540N8-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3