DMN25D0UFA-7B
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| Teilenummer | DMN25D0UFA-7B |
| PNEDA Teilenummer | DMN25D0UFA-7B |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.600 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 5 - Jul 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMN25D0UFA-7B Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN25D0UFA-7B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMN25D0UFA-7B Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 240mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.36nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 27.9pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 280mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | X2-DFN0806-3 |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 708pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSOT-26 Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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