DMN3110LCP3-7
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| Teilenummer | DMN3110LCP3-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN3110LCP3-7 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 15 - Jul 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMN3110LCP3-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN3110LCP3-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMN3110LCP3-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 500mA, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.52nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | 12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.38W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | X2-DFN1006-3 |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
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