DMN3200U-7
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| Teilenummer | DMN3200U-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN3200U-7 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.164 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMN3200U-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN3200U-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMN3200U-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 650mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 115mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-523 Paket / Fall SOT-523 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 3.2V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 20V Vgs (Max) +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 1000V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 52W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D3Pak Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 330mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-75A Paket / Fall SC-75A |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 104W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO262-3 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
