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DMN4027SSD-13

DMN4027SSD-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN4027SSD-13
PNEDA Teilenummer DMN4027SSD-13
Beschreibung MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 26.856
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DMN4027SSD-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN4027SSD-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN4027SSD-13, DMN4027SSD-13 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 740,51 KB)
PDFDMN4027SSD-13 Datenblatt Cover
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DMN4027SSD-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds604pF @ 20V
Leistung - max1.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFBGA, FCBGA

Lieferantengerätepaket

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta), 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

Leistung - max

2.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerLDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8 (Type D)

DMHT6016LFJ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

12-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

V-DFN5045-12

NVMFD5875NLT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Leistung - max

3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

55A (Tc), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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Leistung - max

24W, 52W

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