DMN601DWK-7
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMN601DWK-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN601DWK-7 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 727.254 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DMN601DWK-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | DMN601DWK-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- DMN601DWK-7 Datasheet
- where to find DMN601DWK-7
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMN601DWK-7
- DMN601DWK-7 PDF Datasheet
- DMN601DWK-7 Stock
- DMN601DWK-7 Pinout
- Datasheet DMN601DWK-7
- DMN601DWK-7 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMN601DWK-7 Price
- DMN601DWK-7 Distributor
DMN601DWK-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 305mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Leistung - max | 200mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2254pF @ 25V Leistung - max 156W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V Leistung - max 2.7W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DirectFET™ Isometric MA Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MA |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® FET-Typ 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5.4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.42V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7736pF @ 25V Leistung - max 390W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21.3pF @ 10V Leistung - max 380mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1010B-6 |
