Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMP3028LPSQ-13

DMP3028LPSQ-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMP3028LPSQ-13
PNEDA Teilenummer DMP3028LPSQ-13
Beschreibung MOSFET P-CH 30V POWERDI5060-8
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.418
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMP3028LPSQ-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMP3028LPSQ-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMP3028LPSQ-13, DMP3028LPSQ-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 541,4 KB)
PDFDMP3028LPSQ-13 Datenblatt Cover
DMP3028LPSQ-13 Datenblatt Seite 2 DMP3028LPSQ-13 Datenblatt Seite 3 DMP3028LPSQ-13 Datenblatt Seite 4 DMP3028LPSQ-13 Datenblatt Seite 5 DMP3028LPSQ-13 Datenblatt Seite 6 DMP3028LPSQ-13 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMP3028LPSQ-13 Datasheet
  • where to find DMP3028LPSQ-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMP3028LPSQ-13
  • DMP3028LPSQ-13 PDF Datasheet
  • DMP3028LPSQ-13 Stock

  • DMP3028LPSQ-13 Pinout
  • Datasheet DMP3028LPSQ-13
  • DMP3028LPSQ-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMP3028LPSQ-13 Price
  • DMP3028LPSQ-13 Distributor

DMP3028LPSQ-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1.372nF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.28W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerDI5060-8
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPI09N03LA

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1642pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SKI06073

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

78A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3810pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

116W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQN1N60CBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5Ohm @ 150mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta), 3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

R6025FNZ1C9

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

STP21NM50N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

140W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

UPD720114GA-YEU-AT

UPD720114GA-YEU-AT

Renesas Electronics America

IC CONTROLLER USB 48TQFP

AD7768-4BSTZ

AD7768-4BSTZ

Analog Devices

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 64LQFP

ETPF1000M5H

ETPF1000M5H

Panasonic Electronic Components

CAP TANT POLY 1000UF 2.5V 2917

LM393DT

LM393DT

Rohm Semiconductor

IC COMPARATOR DUAL 0.4MA 8-SOIC

LFE3-17EA-6MG328C

LFE3-17EA-6MG328C

Lattice Semiconductor Corporation

IC FPGA 116 I/O 328CSBGA

BR24T16F-WE2

BR24T16F-WE2

Rohm Semiconductor

IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8SOP

NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363

SML-LX0603GW-TR

SML-LX0603GW-TR

Lumex Opto/Components Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD

MAX3232CUE+T

MAX3232CUE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

3314J-1-104E

3314J-1-104E

Bourns

TRIMMER 100KOHM 0.25W J LEAD TOP

MCP4822-E/MS

MCP4822-E/MS

Microchip Technology

IC DAC 12BIT V-OUT 8MSOP

ISL8206MIRZ

ISL8206MIRZ

Renesas Electronics America Inc.

DC DC CONVERTER 0.6-6V 6A