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DMPH6050SSDQ-13

DMPH6050SSDQ-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMPH6050SSDQ-13
PNEDA Teilenummer DMPH6050SSDQ-13
Beschreibung MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 3.078
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMPH6050SSDQ-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMPH6050SSDQ-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMPH6050SSDQ-13, DMPH6050SSDQ-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 527,08 KB)
PDFDMPH6050SSDQ-13 Datenblatt Cover
DMPH6050SSDQ-13 Datenblatt Seite 2 DMPH6050SSDQ-13 Datenblatt Seite 3 DMPH6050SSDQ-13 Datenblatt Seite 4 DMPH6050SSDQ-13 Datenblatt Seite 5 DMPH6050SSDQ-13 Datenblatt Seite 6 DMPH6050SSDQ-13 Datenblatt Seite 7

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  • DMPH6050SSDQ-13 Distributor

DMPH6050SSDQ-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1525pF @ 30V
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

441pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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SuperSOT™-6

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A, 22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

MMDF2C03HDR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 24V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

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