DMT3020LSD-13
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| Teilenummer | DMT3020LSD-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMT3020LSD-13 |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.698 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMT3020LSD-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMT3020LSD-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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DMT3020LSD-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 393pF @ 15V |
| Leistung - max | 1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V Leistung - max 750mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket 6-DSBGA |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-UFBGA, CSPBGA Lieferantengerätepaket 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 65A Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 562nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V Leistung - max 1250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
