Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMTH4007SPDQ-13

DMTH4007SPDQ-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMTH4007SPDQ-13
PNEDA Teilenummer DMTH4007SPDQ-13
Beschreibung MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.834
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMTH4007SPDQ-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMTH4007SPDQ-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMTH4007SPDQ-13, DMTH4007SPDQ-13 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 488,15 KB)
PDFDMTH4007SPDQ-13 Datenblatt Cover
DMTH4007SPDQ-13 Datenblatt Seite 2 DMTH4007SPDQ-13 Datenblatt Seite 3 DMTH4007SPDQ-13 Datenblatt Seite 4 DMTH4007SPDQ-13 Datenblatt Seite 5 DMTH4007SPDQ-13 Datenblatt Seite 6 DMTH4007SPDQ-13 Datenblatt Seite 7 DMTH4007SPDQ-13 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMTH4007SPDQ-13 Datasheet
  • where to find DMTH4007SPDQ-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMTH4007SPDQ-13
  • DMTH4007SPDQ-13 PDF Datasheet
  • DMTH4007SPDQ-13 Stock

  • DMTH4007SPDQ-13 Pinout
  • Datasheet DMTH4007SPDQ-13
  • DMTH4007SPDQ-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMTH4007SPDQ-13 Price
  • DMTH4007SPDQ-13 Distributor

DMTH4007SPDQ-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.14.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2026pF @ 30V
Leistung - max2.6W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
LieferantengerätepaketPowerDI5060-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SIS903DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen III

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.1mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2565pF @ 10V

Leistung - max

2.6W (Ta), 23W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

SLA5061

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A, 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 5A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V

Leistung - max

5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-SIP

Lieferantengerätepaket

12-SIP w/fin

SI5515CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

632pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

BSL314PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 6.3µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

294pF @ 15V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

PG-TSOP-6-6

FDS8928A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A, 4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Kürzlich verkauft

2N3771

2N3771

STMicroelectronics

TRANS NPN 40V 30A TO-3

ADG3304BRUZ

ADG3304BRUZ

Analog Devices

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 14TSSOP

SRN8040-R50Y

SRN8040-R50Y

Bourns

FIXED IND 500NH 10A 7 MOHM SMD

L78L05ABUTR

L78L05ABUTR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 100MA SOT89-3

STW14NM50

STW14NM50

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 550V 14A TO-247

TPSE226K035R0200

TPSE226K035R0200

CAP TANT 22UF 10% 35V 2917

PIC12F1822-I/SN

PIC12F1822-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 8SOIC

ALS70A273NT250

ALS70A273NT250

KEMET

CAP ALUM 27000UF 20% 250V SCREW

3296W-1-503LF

3296W-1-503LF

Bourns

TRIMMER 50K OHM 0.5W PC PIN TOP

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

CY8C24123A-24SXI

CY8C24123A-24SXI

Cypress Semiconductor

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 8SOIC

TNY290PG

TNY290PG

Power Integrations

IC OFF-LINE SWITCH PWM 8DIP