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DNA30EM2200PZ-TRL

DNA30EM2200PZ-TRL

Nur als Referenz

Teilenummer DNA30EM2200PZ-TRL
PNEDA Teilenummer DNA30EM2200PZ-TRL
Beschreibung DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.220
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DNA30EM2200PZ-TRL Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDNA30EM2200PZ-TRL
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
DNA30EM2200PZ-TRL, DNA30EM2200PZ-TRL Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 137,5 KB)
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DNA30EM2200PZ-TRL Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)2200V
Current - Average Rectified (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.26V @ 30A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr40µA @ 2200V
Kapazität @ Vr, F.7pF @ 700V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (D2Pak)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

610mV @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.9mA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

90pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BAS321Z

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

250mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

BYG21MHM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

13pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

UFS310GE3/TR13

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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