DS1250AB-100+
Nur als Referenz
| Teilenummer | DS1250AB-100+ | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | DS1250AB-100 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Maxim Integrated | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 288 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 3 - Jul 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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DS1250AB-100+ Ressourcen
| Marke | Maxim Integrated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DS1250AB-100+ |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
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DS1250AB-100+ Technische Daten
| Hersteller | Maxim Integrated |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | NVSRAM |
| Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Speichergröße | 4Mb (512K x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100ns |
| Zugriffszeit | 100ns |
| Spannung - Versorgung | 4.75V ~ 5.25V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Lieferantengerätepaket | 32-EDIP |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 8ns Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-SOJ |
