Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DTB513ZETL

DTB513ZETL

Nur als Referenz

Teilenummer DTB513ZETL
PNEDA Teilenummer DTB513ZETL
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 23.082
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 16 - Jul 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DTB513ZETL Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDTB513ZETL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DTB513ZETL, DTB513ZETL Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 1.045,6 KB)
PDFDTB513ZMT2L Datenblatt Cover
DTB513ZMT2L Datenblatt Seite 2 DTB513ZMT2L Datenblatt Seite 3 DTB513ZMT2L Datenblatt Seite 4 DTB513ZMT2L Datenblatt Seite 5 DTB513ZMT2L Datenblatt Seite 6 DTB513ZMT2L Datenblatt Seite 7 DTB513ZMT2L Datenblatt Seite 8 DTB513ZMT2L Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DTB513ZETL Datasheet
  • where to find DTB513ZETL
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor DTB513ZETL
  • DTB513ZETL PDF Datasheet
  • DTB513ZETL Stock

  • DTB513ZETL Pinout
  • Datasheet DTB513ZETL
  • DTB513ZETL Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • DTB513ZETL Price
  • DTB513ZETL Distributor

DTB513ZETL Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Widerstand - Basis (R1)1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce140 @ 100mA, 2V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang260MHz
Leistung - max150mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketEMT3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BCR573E6433HTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

330mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

RN1108ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

CST3

DDTC144TE-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 2.5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

FJN4312RBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

DRA9114E0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3-B

Kürzlich verkauft

CY14B256KA-SP25XI

CY14B256KA-SP25XI

Cypress Semiconductor

IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP

UC3844BD1013TR

UC3844BD1013TR

STMicroelectronics

IC REG CTRLR BST FLYBK ISO 8SOIC

3314J-1-104E

3314J-1-104E

Bourns

TRIMMER 100KOHM 0.25W J LEAD TOP

SMBJ15A-13-F

SMBJ15A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 15V 24.4V SMB

SMAJ5.0A

SMAJ5.0A

TVS DIODE 5V 9.2V SMA

RB751V40T1G

RB751V40T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323

HLMP-2655

HLMP-2655

Broadcom

LED LT BAR 8.89X8.89MM SGL HER

SD066-24-21-011

SD066-24-21-011

Advanced Photonix

SENSOR PHOTODIODE 660NM TO46

MC14099BDWR2G

MC14099BDWR2G

ON Semiconductor

IC LATCH 8BIT ADDRESS 16-SOIC

74F175SCX

74F175SCX

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 4BIT 16SOIC

TSV992IQ2T

TSV992IQ2T

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DFN

MAX4162ESA+

MAX4162ESA+

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC