DTC143TCAHZGT116
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| Teilenummer | DTC143TCAHZGT116 |
| PNEDA Teilenummer | DTC143TCAHZGT116 |
| Beschreibung | NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.040 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DTC143TCAHZGT116 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DTC143TCAHZGT116 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
DTC143TCAHZGT116, DTC143TCAHZGT116 Datenblatt
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DTC143TCAHZGT116 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung - max | 350mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SST3 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-UFDFN Lieferantengerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
