DXT2011P5-13
Nur als Referenz
| Teilenummer | DXT2011P5-13 |
| PNEDA Teilenummer | DXT2011P5-13 |
| Beschreibung | TRANS NPN 100V 6A POWERDI5 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.418 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DXT2011P5-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DXT2011P5-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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DXT2011P5-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 100V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 500mA, 5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
| Leistung - max | 3.2W |
| Frequenz - Übergang | 130MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerDI™ 5 |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI™ 5 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/307 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 3A, 4V Leistung - max 6W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket TO-3 |
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