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ECH8655R-TL-H

ECH8655R-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer ECH8655R-TL-H
PNEDA Teilenummer ECH8655R-TL-H
Beschreibung MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
Hersteller ON Semiconductor
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ECH8655R-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerECH8655R-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ECH8655R-TL-H, ECH8655R-TL-H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 168,66 KB)
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ECH8655R-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)24V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.5W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket8-ECH

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.8A, 4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

398pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta), 3.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 30V, 1120pF @ 30V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

EFC6617R-TF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRF7331

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 16V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

VMM90-09F

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

85A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

76mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 30mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

960nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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