ECH8668-TL-H
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| Teilenummer | ECH8668-TL-H |
| PNEDA Teilenummer | ECH8668-TL-H |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.460 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ECH8668-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ECH8668-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ECH8668-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.5A, 5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 8-ECH |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V Leistung - max 1.39W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 20V Leistung - max 7W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 25V Leistung - max 3.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
