EDF8164A3MA-GD-F-D
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| Teilenummer | EDF8164A3MA-GD-F-D |
| PNEDA Teilenummer | EDF8164A3MA-GD-F-D |
| Beschreibung | IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.858 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EDF8164A3MA-GD-F-D Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EDF8164A3MA-GD-F-D |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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EDF8164A3MA-GD-F-D Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Speichergröße | 8Gb (128M x 64) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 800MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.14V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 253-FBGA (11x11) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TFBGA (6.4x10.1) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie FL-S Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O Taktfrequenz 66MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
