EGL34B-E3/83
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| Teilenummer | EGL34B-E3/83 |
| PNEDA Teilenummer | EGL34B-E3-83 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.570 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EGL34B-E3/83 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EGL34B-E3/83 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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EGL34B-E3/83 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 500mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 500mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 7pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AA (Glass) |
| Lieferantengerätepaket | DO-213AA (GL34) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Stealth™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 50A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.54V @ 50A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 124ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1.5A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 1.5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 10.4pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-220AA Lieferantengerätepaket DO-220AA (SMP) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3500V Current - Average Rectified (Io) 600A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.15V @ 1500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 7µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 3500V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AA, A-PUK Lieferantengerätepaket DO-200AA, R62 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 14A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 480mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 40ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 80µA @ 45V Kapazität @ Vr, F. 1.4nF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket CFP15 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
