EL7212CSZ-T7
Nur als Referenz
| Teilenummer | EL7212CSZ-T7 |
| PNEDA Teilenummer | EL7212CSZ-T7 |
| Beschreibung | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.050 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EL7212CSZ-T7 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EL7212CSZ-T7 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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EL7212CSZ-T7 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 15V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 7.5ns, 10ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie EiceDriver™ Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp 3-Phase Anzahl der Treiber 6 Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 13V ~ 17.5V Logikspannung - VIL, VIH 1.1V, 1.7V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 620V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 60ns, 26ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket PG-DSO-28 |
