EPC2100ENGRT
Nur als Referenz
| Teilenummer | EPC2100ENGRT |
| PNEDA Teilenummer | EPC2100ENGRT |
| Beschreibung | GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 26.922 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EPC2100ENGRT Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2100ENGRT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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EPC2100ENGRT Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 10V Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
