EPC2111
Nur als Referenz
| Teilenummer | EPC2111 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | EPC2111 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID | ||||||||||||||||||
| Hersteller | EPC | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 3.137 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 2 - Jun 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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EPC2111 Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2111 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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EPC2111 Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 59A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 100V Leistung - max 462W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP2 Lieferantengerätepaket SP2 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 250mA, 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V Leistung - max 270mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A, 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V Leistung - max 700mW, 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 246nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11200pF @ 25V Leistung - max 694W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.2A, 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 387pF @ 10V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
