ES2DV M4G
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| Teilenummer | ES2DV M4G |
| PNEDA Teilenummer | ES2DV-M4G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.094 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ES2DV M4G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ES2DV M4G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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ES2DV M4G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 27pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket Axial Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 18pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 180A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 180A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10mA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 7000pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall HALF-PAK Lieferantengerätepaket HALF-PAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.02V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 700mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 700mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 7.5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 80µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 120pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket Mini3-G1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
